高温动态老化的加电方式和试验电路形式与室温静态功率老化相同

1、常温静态功率老化

常温静态功率老化是使设备在室温下老化。半导体PN设备老化所需的热应力是由设备本身消耗的功率转换而来的。由于设备在老化过程中受到电和热的综合作用，加速了设备内的各种物理和化学反应过程，促进了其潜在缺陷的提前暴露，从而消除了有缺陷的设备。这种老化方法不需要高温设备，操作简单，因此被广泛使用。在设备的Q安全范围内，适当增加老化功率（提高设备的结温）)能收到更好的老化效果，缩短老化时间。

2、高温静态功率老化

高温静态功率老化的加电方式和试验电路形式与室温静态功率老化相同。区别在于前者在较高的环境温度下进行。由于设备在较高的环境温度下老化，集成电路的结温可以达到较高的温度。因此，一般来说，集成电路的高温静态功率老化效果优于室温静态功率老化。

我国电子元器件标准明确规定，集成电路应进行高温静态功率老化，具体条件是:在产品标准规定的额定电源电压、额定负载、信号和线路下老化。老化条件如下：125±3℃，168 h (可根据需要确定)。至少在老化的过程中8 h监测一次。

高温反而老化

在高温反偏老化过程中，设备PN与此同时，由于高温环境应力和反向偏压电应力，设备内部没有电流或只有小电流通过，几乎不消耗功率。这种老化方法特别有效地消除了具有表面效应缺陷的早期故障设备，因此广泛应用于一些反向应用的半导体设备的老化。

高温动态老化

高温动态老化主要用于数字设备，由脉冲信号驱动，使设备不断翻转。这种老化方法非常接近设备的实际使用状态。

高温动态老化有串联开关和并联开关试验电路两种基本试验电路。

串联开关试验电路又称“环开分计数器”电路。其特点是：将所有受试设备的输出输入端串联起来，形成一个环形计数电路。由于前级输出是后级输入，即后极是前极负载，因此设备简单易实现，无需添加激励信号和外部负载。缺点是，如果任何被试设备失效，整个环形系统将停止工作并在试验中工作。试验恢复正常，直到更换新的试验电路或短接有问题的设备。

并联开关试验电路的特点是被测设备与激励电源并联，因此每个被测设备都可以由额外的开关电压驱动，每个被测设备的输出端可以连接，模拟嘴的大负载，从而克服串联开关老化的缺点。

在*高额定工作温度和zui高额定工作电压下，高温动态老化的试验条件一般为老化168~ 240 h。例如，民用设备通常需要几个小时，军用J可以选择高可靠性设备100~168 h，可选择宇航级设备240 h甚至更长的周期。