浦项科技大学开发高性能n型Bi2S三、半导体和p型Te半导体

电动悟空摘录 半导体是生活中不可缺少的产品，可用于智能手机、电脑和车辆。然而，在半导体制造过程中，温室气体和废物的增加导致了严重的环境问题。据外媒报道，浦项科技大学（POSTECH）研究人员通过简单的热蒸镀工艺（thermal evaporation）开发高性能n型Bi2S三、半导体和p型Te半导体。

(图片来源:浦项科技大学)

目前第八代大面积生产OLED（2200 × 2500 mm）热蒸镀工艺可大面积制造，成本低，环保。这些材料有望用于有机发光二极管（OLED）显示驱动电路和各种半导体电路。

LTPO驱动电路动电路是低温多晶硅和氧化物半导体的组合OLED由于功耗低，显示器的驱动电路具有延长移动设备电池寿命的优点，但制造工艺复杂，成本高。为了满足日益增长的环境、社会和治理（ESG）为了降低能耗，研究人员致力于开发更简单、更环保的半导体制造工艺。

该团队使用一种类似石墨烯的二维材料——硫族元素(指硫、硒和锑)。在这些元素中加入过渡金属制成的化合物具有导体和半导体的性质。研究人员不使用传统工艺，而是使用热蒸镀工艺Bi2S制造半导体薄膜。在此过程中，材料在高真空中蒸发，产生的蒸汽会附着在板上。半导体和导体可以通过简单的热处理来控制电荷的数量，被认为是本研究的核心专有技术。

研究人员过程，研究人员制作了高性能n型薄膜晶体管，并以同样的方式成功开发Te高性能p型半导体。此外，将晶体管和电子电路的制造工艺添加到标准中OLED一步制造可以实现制造过程。这种方法将有助于显著减少制造业OLED目前，高成本被认为是该技术的缺点之一，特别是现有成本OLED无需准备新设备，热蒸镀设备可以降低工艺预算和制造成本。

研究负责人Yong-Young Noh教授说：这项研究是用来的Bi2S3和Te它是一种非常有吸引力的材料，可以通过简单的热处理过程从导体过渡到半导体。通过简单的热蒸镀工艺，成功实现了晶片级n型和p型晶体管，以及结合这两种晶体管的互补逆变电路。

研究人员表示，该研究有望促进硫化物半导体器件和相关技术的商业化。