限制异质结电池大规模生产的关键因素之一

限制异质结电池大规模生产的关键因素之一是设备成本过高，特别是非晶硅膜沉积所需的设备。

热丝CVD设备，全称催化化学气相沉积设备，简称HoFCVD设备，是指基于热丝CVD技术原理制备的集成电路膜沉积设备。热丝CVD技术原理是利用SiH4(甲硅烷)、H2(氢)等气体分子在加热金属丝上发生催化分解反应“不带电”活性基团，然后将活性基团落到基底表面，形成粘附、迁移、化学键等反应的过程。

与目前主流PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备相比，HoFCVD设备的工作原理更简单，具有涂层质量更好、速度更快的优点。HoFCVD涂层时，薄膜和衬底不受等离子体损坏；HoFCVD涂层时，特殊气体消耗量仅占PECVD消耗量的1-10%；具有不产生粉尘的特点，HoFCVD沉积气压为1-2Pa，活性基团不带电，工作无粉尘；HoFCVD具有成本较低的优点，不需要射频电源和均匀气体系统，对载荷板和腔体的要求较低。

根据新思界产业研究中心发布的2023-2028年热丝CVD（HoFCVD）根据设备行业市场深入研究和投资前景预测分析报告，总体而言，HoFCVD避免了PECVD的技术障碍和困难，从根本上降低了设备成本。HoFCVD作为一种低成本的膜沉积设备，主要用于异质结电池的非晶硅膜沉积，可达到降低设备成本50%以上的目的，符合光伏降本增效发展日益上升的新趋势，有望成为未来CVD技术的主流。

近年来，在国内光伏产业蓬勃发展的背景下，异质结电池逐渐成为下一代转换效率高、开路电压高、双面率高、工艺温度低的主流光伏电池。2022年，我国异质结电池在新建和规划中的产能已超过110GW，出货量已超过11GW。限制异质结电池大规模生产的关键因素之一是设备成本过高，特别是非晶硅膜沉积所需的设备。因此，低成本HoFCVD设备有望在短时间内成为非晶硅膜沉积设备市场的主流产品，市场迎来发展机遇期。

新思界行业分析师表示，受日本企业技术垄断的影响，中国HoFCVD设备行业起步较晚。直到进入几年，江西汉可泛半导体技术企业才实现了HoFCVD设备的大规模生产，成为世界第二家HoFCVD设备供应商，走在世界前列。此外，在市场发展前景的吸引下，深圳捷佳伟创新能源装备等众多国内企业积极进入HoFCVD设备研发轨道。未来，随着国内企业研发进程的不断加快，我国HoFCVD设备的国产化水平将不断提高，行业发展潜力巨大。