IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度

随着新能源汽车和变频器行业的蓬勃发展,对IGBT功率设备的需求不断增加;电机控制器作为电动汽车的核心部件,其安全性和可靠性直接影响车辆;IGBT(即绝缘栅双极晶体管)的性能直接影响电机控制器的性能。

IGBT是一种由BJT(双极三极管)和MOS(绝缘格栅场效应管)组成的复合全控制电压驱动功率半导体装置,具有高频、大电流、高反压等优良特性,是能源转换和传输的核心装置,俗称电力电子装置“cpu”,作为国家战略性新兴产业,广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备等领域。

IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度

IGBT是电力电子系统能量控制和转换的重要开关元件之一,其性能直接影响电力电子系统的转换效率、体积和重量;电力电子设备的性能追求更高的电流密度、更小的通态压降和更低的关闭损耗。

由于电动汽车在电机控制器温升过程中,虽然电机控制器具有冷却功能,但当电动汽车在一些激烈的驾驶条件下,如车辆满载堵塞和低速爬坡条件时,电机控制器温度迅速上升容易触发IGBT过热报警,进入电机功率限制,停止工作影响车辆的正常使用。而且电机控制器长期过载,容易导致电机控制器因过热而损坏IGBT。因此,电动汽车的电机控制器对IGBT温度进行监测和控制是非常重要的。

IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度

IGBT约占电机驱动系统成本的一半,而电机驱动系统占整车成本的15-20%,即IGBT占整车成本的7-10%,是除电池外成本第二高的部件,也决定了整车的能源效率。IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度。

近年来,各种新技术和新技术的出现和产生,使IGBT的性能更加完善和优异;IGBT晶圆的厚度决定了其设备的耐压性。

台湾省茂硅电子成立于1987年,晶圆制造长期专注于MOS管、电源管理IC领域的功率半导体元件和电源管理IGBT,以模拟芯片、二极管等产品为主,降低晶圆导电阻,通过六寸晶圆降低IGBT制造成本,获得较高的良率;打破国外垄断。

IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度

目前市场上晶圆直径主要为150mm、200mm、300mm,分别对应6寸、8寸、12寸晶圆;国产芯片在晶圆产能上有优势,即6寸;

IGBT的质量直接影响电动汽车功率的释放速度

全球10大8”约40个晶圆厂,其中33个在亚洲(台湾省15个,中国8个),2019-2021年产能仅扩大5%,仍不足以满足后续电动汽车和工业控制市场,导致IGBT价格持续上涨。

以工矿网为代表的台湾省茂硅电子推出的IGBT晶圆有几款1200V、FS工艺(15A、25A、40A)6寸IGBT晶片;1200V沟槽及现场停止技术;低开关损耗;正温系数;简单的平行技术。

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